SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存单片最高 24GB，819 GB/s 带宽

	北京时间：10月20日消息，今日韩国 SK 海力士宣布 成功开发出业界第一款 HBM3 DRAM 内存芯片该产品可以与 CPU GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。 目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代，HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。海力士表示2020年7月 便开始量产 HBM2E 内存，为全球首批量产这种芯片的企业。 SK 海力士最新的 HBM3 芯片。单片最大容量可达 24GB，最高带宽达到了 819 GB/s相比 HBM2E 提升了 78% 不仅如此，产品还支持片上 ECC 纠错，显著高了可靠性。 这款 HBM3 内存提供 16GB 和 24GB 两种类型，分别为 8层和12层堆叠，每层容量 2GB。工程师将单片芯片的高度磨削至 30微米厚，相当于 A4 纸的三分之一。然后 使用 TSV 硅通孔技术将这些芯片堆叠在一起。最终进行封装。 小编了解到，这款芯片可以用于高性能 CPU或者专用计算加速卡，可以显著提高人工智能机器学习运算的 性能有助于科学研究 药物开发。气候变化分析等。