三星宣布量产第8代 V-NAND 闪存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

	北京时间：11月7日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第8代 V-NAND。 新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级SSD的传 输速度轻松超过12GBps。 据介绍，第8代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度不过 他们称之为业界最高的比特密度。 三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，其新一代 3D NAND 闪存可提高 20% 的单晶生产率从而进一步 降低了成本（在良率相同的情况下），这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。 该公司没有透露新品架构，但根据提供的图像，我们可以假设这是一种双平面3D NAND芯片。 三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND层数，三星采用了先进的3D压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰 我们第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案这将是 未来存储创新的基础。 今年年中，三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品。 此外，第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件，将于2023年进入量产阶段。小编了解到三星即将推出的其它DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。 三星对其 V-NAND 声称，到 2030 年，它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标三星正在从 其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构，以提高密度并启用更多层。 三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，研究新的架构和材料，例如 High-K，以帮助将 DRAM 扩展到10nm 以上该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决方案，例如内存处理 (PIM)。