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性能提升 5 倍,西数最新 QLC 颗粒写入速度达 60MB/s

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5月13日消息,西部数据在 5 月 10 日的发布会中不仅发布了一系列新品,还透露了其 3D 闪存路线图。
西数称,他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND,而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 使用的则是
2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。

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BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽,而且其 QLC 版本拥有比 TLC版本更小的芯片面积
和更高的存储密度而且虽然西数的 BiCS6 QLC 颗粒的堆叠层数比美光和 SK 海力士的 176 层 QLC 闪
存要低一些,但存储密度却超越了它们。

QLC 颗粒自它诞生的那天起就被网友们冠上“垃圾”的名头,原因就是它不仅写入寿命短,缓外写入速度还低的离谱
当消费者们看到 QLC 硬盘的产品宣传页面写着 2000MB/s的写入速度就兴冲冲的将其买回家时,他们还不知道这些硬
盘的缓外写入速度实际上只有可怜的几十 MB 每秒,甚至不如机械硬盘。

缓外写入速度即为数据直接在储存颗粒上的写入速度,厂家一般会通过添加 SLC 缓存、虚拟缓存
DRAM 缓存等手段来延缓这种情况的出现。然而这些缓存的容量一般都远小于硬盘的实际容量对
于平价的 QLC 固态来说更是如此。

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而西数优化了其 QLC 颗粒的写入速度,BiCS6 的 QLC 版本写入速度达到了 60MB/s,是英特尔144 层 QLC 的1.5
倍是自家 96 层 BiCS4 QLC 的 6 倍还多。尽管该速度还是比 BiCS6 的 TLC 版本慢了 60%。
采用 BiCS6 3D NAND 的 TLC 以及 QLC 固态硬盘将会在 2022 年底生产,而且其幻灯片上还提到了
PLC 颗粒(QLC 的下一代),但官方并未公布其更多信息。

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小编了解到,西数还称将为企业用户开发 200 多层的 BiCS + 闪存以满足数据中心对高容量和高性能的需求
与 BiCS6 相比,BiCS + 在储存密度将增长 55%,且其传输速度提高 60%,写入速度也会提高 15%。

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除此之外西数还公开了一些正在研发中的技术,比如通过粘合多个晶圆并使用其他先进技术制造具有 500
多层的 3D NAND,通过路线图得知该技术有望在 2032 年到来。

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