6月14日消息,3D NAND 200 层堆栈以上赛局加速展开存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家
232 层堆栈 3D NAND 闪存将于2022年底前率先量产。
据DigiTimes 报道,近日市场传言称长江存储将跳过原定192层
技术直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。
据报道,存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他 NAND大厂如三星电子铠侠等的脚步并于
2023年将逐步拓展232层 NAND 产能比重,为全球 NAND 产业竞赛投下重磅炸弹。
小编了解到,长江存储已推出128层3D NAND闪存,此前有消息称已向一些客户交付了其自主
研发的192层3D NAND 闪存的样品。
此外,市场观察人士认为,三星电子预计将在2022年晚些时候加入200层以上3D NAND闪存的竞争。