电脑疯子技术论坛|电脑极客社区消息称长江存储将直接挑战 232 层 NAND，并于 2022 年底量产6月14日消息，3D NAND 200 层堆栈以上赛局加速展开存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家232 层堆栈 3D NAND 闪存将于2022年底前率先量产。据DigiTimes 报道，近日 ...

消息称长江存储将直接挑战 232 层 NAND，并于 2022 年底量产

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	6月14日消息，3D NAND 200 层堆栈以上赛局加速展开存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家 232 层堆栈 3D NAND 闪存将于2022年底前率先量产。据DigiTimes 报道，近日市场传言称长江存储将跳过原定192层技术直接挑战232层NAND，并于2022年底量产。据报道，存储器相关业者指出，如此一来，长江存储可望赶上其他 NAND大厂如三星电子铠侠等的脚步并于 2023年将逐步拓展232层 NAND 产能比重，为全球 NAND 产业竞赛投下重磅炸弹。小编了解到，长江存储已推出128层3D NAND闪存，此前有消息称已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND 闪存的样品。此外，市场观察人士认为，三星电子预计将在2022年晚些时候加入200层以上3D NAND闪存的竞争。