11月20日消息,外媒 ComputerBase 昨日分享了三星电子在
2021 三星技术日 当天
公开的未来发展蓝图和存储技术革新的内容。
外媒称 三星在准备 DDR5 技术的后继产品 DDR6。据称该技术的速度和带宽是DDR5 的两倍。
DDR6 标准还没有被 JEDEC 正式确定,默认的规格应该在DDR6-12800 左右。三星证实该技术尚处于早
期开发阶段,因此公司共享的数据可能会发生变化。外媒称DDR6超频内存有望达到 DDR6-17000。
▲ 图自三星半导体
据称 DDR6 内存每个模块将拥有4个通道 是 DDR5 的两倍;bank 数量将达到64个是DDR4 的4倍。
显存方面 三星现在正在开发 GDDR6 + 标准。提供高达 24 Gbps 的速度 高于当前GDDR6 标准提供的18Gbps
使用三星的1znm 工艺制造。此外GDDR7 标准也在路线图中但没有更多细节。